原子层沉积系统PICOSUN™ALD-P系列

供应商 ：Picosun

现货状态 ：定制

名称：原子层沉积系统PICOSUN™ALD-P系列：
型号：PICOSUN™P300B、P300S、P300F、P300BV
产地：芬兰
品牌：PICOSUN

原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P系列介绍：
PICOSUN™ P-300型原子层沉积系统是一款批量生产型设备，用于加工IC器件，例如：微处理器、存储器、硬盘等；也可加工功率电子器件、混合信号器件、以及打印读头、传感器、麦克风等各种MEMS器件。
PICOSUN™ P-300系统已经成为高产能ALD制造业的新标准。拥有专利的热壁、完全独立的前驱体管路和特殊的载气设计，确保我们可以生产出具有优异的成品率、低颗粒水平和卓越的电学和光学性能的高质量ALD薄膜。高效紧凑的设计使得维护更加方便、快捷，最大限度的减少了系统的维护停工期和使用成本。拥有专利技术的Picoflow™使得在超高深宽比结构上沉积保形性薄膜更高效，并已在生产线上得到验证。

PICOSUN™P系列不同型号介绍
PICOSUN™P300BV	PICOSUN™ P-300BV系统代表了最尖端的工业 化ALD工艺水平。这个系统是为半自动化的批 量生产而设计。设备本身针对快速批量生产 进行了优化，并允许通过SECS/GEM整合到自 动化生产线上。拥有加热选项的真空加载系 统可以对敏感的基底进行洁净加工并沉积金 属氮化物薄膜。
PICOSUN™P300S	PICOSUN™ P-300S系统代表了最尖端的工业化 ALD工艺。这个系统是为全自动的批量生产而设 计，并与工业标准化的真空集群平台相结合进行 单片操作。P-300S系统通过SEMI S2/S8认证，可 以通过SECS/GEM整合到自动化生产线上，并能 满足半导体行业最严格的清洁要求。
PICOSUN™P300F	PICOSUN™ P-300F系统代表了最尖端的工业 化ALD工艺。这个系统是为全自动的批量生产 而设计，并与工业标准化的单片晶圆真空集 群平台相结合。P-300F系统通过SEMI S2/S8 认证，可以通过SECS/GEM整合到自动化生产 线上。

原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P系列 技术参数（以P300B为例）：

衬底尺寸和类型	• 200mm晶圆 25片/批次（标准间距） • 150mm 晶圆 50片/批次（标准间距） • 100mm 晶圆 75片/批次（标准间距） • 非标准晶圆类基底（使用定制夹具） • 高深宽比基底（最大深宽比1:2500）
工艺温度	• 50 – 500°C
前驱体	• 液态，固态，气态，臭氧源 • 源瓶余量传感器，提供清洗和装源服务 • 4根独立的源管线，最多加载8个前驱体源
标准工艺	• 批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环* • Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各种金属 • 同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**
基片加载	• 气动升降，手动装载 • 线性半自动装载